삼성전자의 HBM3E 주문이 DRAM 전체 생산능력의 82%를 차지하는 것으로 전해졌다. 중국 온라인 매체 넷이즈(163.com)는 10월 9일(현지시간) 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 HBM으로 생산능력을 돌리면서 중국 선전 화창베이 메모리 가격이 1년 새 300% 이상 올랐다고 보도했다.
넷이즈에 따르면 2026년 10월 7일 선전 화창베이 상인들은 DDR4 16G 최저가가 지난해 100여 위안에서 현재 600여 위안으로, DDR5 16G 최저가가 200여 위안에서 1400위안 이상으로 올랐다고 전했다. 킹스턴(Kingston) 타오바오 플래그십 스토어의 DDR3 제품은 지난해 9월 218위안에서 현재 499위안으로 상승했다. DDR5 메모리의 3개월간 최종 가격 상승 폭은 200%를 넘었지만 DRAM 칩 원가는 약 30% 오르는 데 그쳤다고 매체는 전했다.
넷이즈는 AI 서버의 메모리 수요량이 일반 서버의 8~10배이고, 전 세계 첨단 메모리 생산능력의 약 70%가 AI에 흡수되고 있다고 보도했다. 삼성전자(Samsung Electronics), SK하이닉스(SK hynix), 마이크론 테크놀로지(Micron Technology) 등 3대 메모리 업체는 전 세계 DRAM 생산능력의 95% 이상을 차지하며, HBM 한 개가 같은 용량의 범용 DRAM보다 약 세 배의 웨이퍼 면적을 쓴다고 매체는 설명했다.
둥우증권(东吴证券) 추산에 따르면 HBM 생산능력 비중은 2024년 12.3%에서 2025년 17.1%, 2026년 20.8%, 2027년 22.5%로 높아질 전망이다. 삼성전자 부사장 김태우는 2026년 9월 HBM이 내년 DRAM 웨이퍼 생산능력의 약 30%를 차지할 것이라고 확인했으며, 현재 비율은 약 20%라고 매체는 전했다. HBM 매출총이익률은 약 60%로 소비자용 DRAM의 20~40%보다 높고, SK하이닉스는 DRAM 생산능력의 75%를 HBM에 배정한 것으로 전해졌다.
넷이즈는 3대 원 제조업체의 2027년 DRAM과 HBM 생산능력이 모두 선판매됐고, AI 고객들이 3~5년 장기계약과 10~40% 선급금으로 공급을 확보했다고 보도했다. 2026년 1분기 일반형 DRAM 계약가격은 전 분기보다 93~98% 올랐고, 2분기에도 58~63% 상승했다. 2026년 전 세계 DRAM 공급 증가율은 약 16%였지만 수요 증가율은 약 45%였으며, 클라우드 대기업은 50~60%의 프리미엄을 내고 6~12개월 먼저 생산능력을 확보하려 한다고 매체는 전했다.
가격 상승은 완제품에도 번졌다. 카운터포인트 리서치(Counterpoint Research)에 따르면 2026년 2분기 스마트폰 메모리 가격은 전 분기보다 80% 넘게 올랐고, CINNO 리서치(CINNO Research)는 8GB+128GB 조합의 원가 상승 폭이 최대 290%, 다른 저장 칩은 모두 259%를 넘었다고 집계했다. 가트너(Gartner)는 2026년 말까지 PC 완제품 가격이 평균 17% 오르고, 2028년까지 500달러 이하 보급형 PC 시장이 완전히 사라질 것으로 전망했다고 넷이즈는 전했다. 앞서 디지타임스(DigiTimes)는 10월 5일 삼성전자가 2027년 차세대 HBM 가격을 현재 HBM3E의 3배를 웃도는 수준으로 올리는 방안을 추진 중이라는 설을 보도했다.