SK하이닉스와 삼성전자가 엔비디아 베라 루빈의 12단 HBM4 채택설로 수요 우려를 덜 수 있다는 전망이 나왔다. 중국 온라인 매체 넷이즈(163.com)는 10월 9일(현지시간) 콰이테크를 인용해 시장조사업체 카운터포인트 리서치가 이같이 평가했다고 전했다.
카운터포인트 리서치는 엔비디아 베라 루빈(Vera Rubin) 인공지능 플랫폼의 대부분 제품이 기존에 소문으로 전해진 8단 방식이 아닌 12단 HBM4를 채택할 것으로 전망했다. 이는 8월 보고서에서 루빈이 8단 HBM4 변형 제품을 채택할 것이라고 예측한 내용을 수정한 것이다.
앞서 업계에서는 엔비디아가 메모리 공급업체에 HBM4 적층 단수를 12단에서 8단으로 줄일 것을 요구했다는 소문이 돌았다. 시장에서는 HBM 수요가 줄어 생산능력이 기존 DRAM으로 돌아가고 메모리 가격이 낮아질 수 있다는 우려도 제기됐다.
넷이즈가 인용한 카운터포인트 리서치의 이번 평가는 SK하이닉스(SK hynix)와 삼성전자(Samsung Electronics)가 직면한 수요 우려를 직접 완화하는 내용이다. 두 한국 업체는 16단 HBM4 기술도 동시에 추진하고 있다.
SK하이닉스는 올해 1월 CES에서 16단 48GB HBM4를 처음 공개했다. 16단 제품의 용량은 36GB인 12단 제품보다 3분의 1 많으며, SK하이닉스는 2분기부터 주요 고객사에 HBM4를 대량 공급하기 시작했다.
삼성전자는 2월부터 상용 HBM4를 출하했고, 12단 제품은 최대 36GB 용량을 제공한다. 삼성전자의 16단 적층 기술은 양산 조건을 갖췄으며 고객 수요에 따라 속도를 조절할 예정이다.
넷이즈 기사에 따르면 HBM은 첨단 패키징을 통해 GPU와 통합해야 한다. 메모리 생산량이 충분해도 패키징 생산능력이 인공지능 가속기의 전체 공급을 제한할 수 있다는 설명이다.
고성능 칩이 소비하는 웨이퍼 생산능력은 기존 DRAM의 3배를 넘을 수 있다는 내용도 담겼다. 인공지능 수요가 지속되는 상황에서 소비자용 메모리 공급은 여전히 빠듯할 수 있다고 전했다.
앞서 10월 3일 중국 매체 피닉스망(凤凰网)은 SK하이닉스의 중국 본토 우시(无锡) DRAM 공장이 회사 전체 DRAM 생산능력의 약 35%를 차지한다고 보도했다. 러시아 매체 시큐리티랩(securitylab.ru)은 9월 22일(UTC) 중국이 11.95nm 피치의 차세대 DRAM 양산을 시작했다고 전했다.
중국 매체 시나닷컴(Sina Corporation)은 9월 23일(UTC) 인공지능 수요로 DRAM 가격이 사상 최고치를 기록했다고 보도했다. 시나닷컴은 DRAM이 면적 기준으로 최첨단 첨단 칩보다 비싸졌다고 전했다.