대만 일간지 연합신문망(UDN)은 10월 1일(현지시간) ‘삼성 경고…DRAM 내년 더 빠듯해져 난야테크·윈본드 수주 역량에 도움’(三星示警…DRAM明年更吃緊 有助南亞科、華邦接單量能)이라는 제목의 기사에서 삼성전자가 내년 고대역폭 메모리(HBM)의 전 세계 DRAM 웨이퍼 생산능력 비중이 30%에 육박할 것으로 전망했다고 보도했다. 현재 약 20%에서 크게 높아지면서 전통적 DRAM 공급이 더욱 빠듯해질 수 있다는 내용이다.
UDN에 따르면 HBM과 전통적 DRAM은 같은 웨이퍼 생산능력을 사용한다. 이에 따라 HBM 생산량이 늘면 DDR4, DDR3와 틈새형 메모리를 포함한 전통적 DRAM 공급이 압박받을 수 있다.
시장에서는 국제 대형 업체들이 HBM 생산능력 비중을 계속 확대하고 인공지능(AI)에 자원을 집중하면서 전통적 DRAM 공급이 더 긴박해질 것으로 예상했다. 이는 전통적 DRAM을 주력으로 하는 대만 메모리 업체 난야테크(南亞科·2408)와 윈본드에 유리하게 작용해 수주 역량이 커지고 가격도 지지받을 수 있다는 분석이다.
삼성전자(Samsung Electronics)의 김태우(Kim Taewoo) 부사장은 인터뷰에서 HBM과 전통적 DRAM이 같은 웨이퍼 생산능력을 사용한다고 밝혔다. UDN은 김 부사장의 발언을 전하며 HBM 생산량 증가가 전통적 DRAM 공급을 압박할 수 있다고 보도했다.
삼성전자의 내년 HBM 비중은 DRAM 업체 전체 웨이퍼 생산능력의 현재 약 20%에서 30%에 가까운 수준으로 높아질 것으로 예상됐다. UDN은 이 같은 변화가 AI 메모리가 전통적 제품을 잠식하는 상황이 계속 심해질 수 있음을 보여준다고 전했다.
시장조사기관 트렌드포스(TrendForce) 통계에 따르면 삼성전자의 올해 2분기 DRAM 매출 시장점유율은 39.4%로 업계 선두였다. 삼성전자와 SK하이닉스(SK hynix), 마이크론(Micron)은 AI 수요에 대응해 HBM 개발과 신제품 출시를 추진하고 있다.
UDN에 따르면 삼성전자는 올해 2월 HBM4를 이미 양산해 출하했으며 관련 생산능력도 확대하고 있다. 대만 메모리 업체들은 AI 관련 수요 증가로 전통적 메모리 공급이 영향을 받을 것으로 보고 있다.
난야테크 총경리 리페이잉(李培瑛)은 앞서 기업설명회에서 AI 관련 메모리 수요가 빠르게 늘면서 PC·휴대전화·차량용·소비자 제품 공급을 잠식하고 있다고 밝혔다. 리 총경리는 품귀 현상이 앞으로 수 분기 동안 이어질 것으로 예상했으며, 하반기 DRAM 판매가격은 여전히 상승 여지가 있고 회사 생산능력은 이미 전부 가동되고 있다고 설명했다.
윈본드 총경리 천페이밍(陳沛銘)은 AI 수요가 메모리 사용량을 계속 끌어올려 2027년 시장 수급이 올해보다 더 빠듯해질 것으로 봤다. 윈본드는 가오슝 공장 모듈 B 증설 계획에 착수했으며 내년 1월 착공해 2029년 말 양산에 들어갈 계획이라고 밝혔다.
시장 관계자들은 메모리 고객들이 중장기 부품 공급원을 확보하는 데 힘을 쏟고 있다고 분석했다. 구매 기준도 가격에서 납기와 공급 보장으로 넓어졌으며, 장기계약으로 생산능력을 미리 배정하려는 수요가 커진 주요 원인은 AI 애플리케이션의 지속적인 확장이라고 전했다.
시장 관계자들은 전통적 제품 공급이 수요를 따라갈지는 원 제조사의 자원 배분과 신규 생산능력 가동 속도에 달렸다고 분석했다. 공급 부족분은 단기간에 빠르게 메우기 어려울 것으로 내다봤다.
■ 맥락과 영향
대만 일간지 UDN에 따르면 삼성전자의 내년 HBM 비중이 DRAM 전체 웨이퍼 생산능력의 30%에 가까워질 전망이다. UDN은 이에 따라 전통적 DRAM 공급이 압박받고 난야테크와 윈본드의 수주 역량에 도움이 될 수 있다고 전했다.
■ 숫자로 본 영향
UDN에 따르면 HBM 비중은 현재 약 20%에서 내년 30%에 가까운 수준으로 높아질 전망이다.
트렌드포스 통계에 따르면 삼성전자의 올해 2분기 DRAM 매출 시장점유율은 39.4%다.
■ 누구에게 이익·부담인가
UDN은 전통적 DRAM을 주력으로 하는 난야테크와 윈본드에 공급 압박이 유리하게 작용해 수주 역량이 커지고 가격도 지지받을 수 있다고 분석했다.