중국 전문 매체 IT즈자(IT Home)는 9월 29일(UTC) 로이터(Reuters)를 인용해 삼성전자 고위 임원이 내년 고대역폭 메모리(HBM)의 DRAM 업계 전체 웨이퍼 생산능력 비중이 30%에 육박할 것으로 전망했다고 보도했다. 이는 현재 약 20% 수준보다 높은 비중이다.
삼성전자(SSNLF) 집행부사장 김태우(Kim Taewoo)는 HBM이 각 DRAM 칩 제조업체의 전체 웨이퍼 생산능력에서 내년 30%에 육박하는 비중을 차지할 것으로 예상했다.
IT즈자에 따르면 현재 HBM이 DRAM 업계 전체 웨이퍼 생산능력에서 차지하는 비중은 약 20% 수준이다. 보도는 내년 예상치가 현재 수준보다 높다고 전했다.
김태우 집행부사장은 HBM이 일반 DRAM과 웨이퍼 생산능력을 놓고 경쟁한다고 말했다. 이에 따라 HBM 생산 규모를 확대하면 표준 DRAM 공급이 압박을 받을 가능성이 있다고 IT즈자는 설명했다.
IT즈자에 따르면 HBM은 인공지능 연산 능력의 핵심 부품이다. 여러 층의 메모리 칩을 수직으로 쌓아 프로세서가 방대한 데이터를 매우 빠른 속도로 읽을 수 있게 한다.
이 시장은 현재 한국의 SK하이닉스(SK hynix), 삼성전자, 미국 마이크론 테크놀로지(Micron Technology) 등 세 기업이 주도하고 있다고 IT즈자는 전했다.
이번 보도는 HBM 생산 확대가 일반 DRAM과 웨이퍼 생산능력을 공유하는 구조를 전제로, 내년 HBM 비중이 현재 약 20%에서 30%에 육박할 수 있다는 삼성전자 고위 임원의 전망을 담았다.
■ 맥락과 영향
해외 보도에 따르면 삼성전자 고위 임원은 내년 HBM 생산 비중을 30%에 가깝게 예상했다. 현재 HBM 비중 20%보다 높은 수준이다.
■ 무엇이 바뀌었나
해외 보도에 따르면 HBM의 DRAM 업계 전체 웨이퍼 생산능력 비중은 현재 20%에서 내년 30%에 가까워질 것으로 예상됐다.
■ 숫자로 본 영향
해외 보도에 따르면 20%는 현재 HBM이 DRAM 업계 전체 웨이퍼 생산능력에서 차지하는 비중이다. 30%는 내년 예상 비중이다.
■ 누구에게 이익·부담인가
IT즈자(IT Home)가 로이터를 인용한 보도에 따르면 HBM 생산 확대는 표준 DRAM 공급을 압박할 가능성이 있다.