삼성전자가 2028년 DRAM 양산에 6×12인치급 대형 마스크를 도입할 계획으로 업계 이니셔티브에 합류했다. 10월 4일(현지시간) 중국 매체 투자계(投资界·news.pedaily.cn)에 따르면 삼성전자는 ASML과 TSMC가 추진한 전환 계획에 참여한다고 밝혔다.
ASML과 TSMC(台积电)는 2026년 9월 전통적인 6×6인치 마스크를 6×12인치급으로 전환하는 업계 이니셔티브를 공식 출범시켰다고 투자계는 전했다. 여기서 말하는 12인치 마스크는 기존 6인치 정사각형 마스크를 12×12인치로 키운 형태가 아니라 6×12인치 직사각형 포맷이다.
삼성전자는 이 이니셔티브에 합류하고 2028년 DRAM 양산에 도입할 계획이라고 밝혔다. 인텔(Intel)은 내부적으로 대형 마스크 포맷을 추진한 지 3년이 넘었다고 밝혔으며, 산업 일정에는 2031년 12인치 마스크 시험 라인 구축과 2033년 첨단 노드 양산 지원이 담겼다.
대형 마스크 전환의 배경에는 High-NA EUV의 노광 시야 축소가 있다. 자이스(Zeiss)와 ASML은 X축에 4배 축소, Y축에 8배 축소를 적용하는 비대칭 광학 시스템을 채택했고, 이에 따라 웨이퍼 노광 시야가 한 방향에서 절반으로 줄었다고 투자계는 설명했다.
업계는 과도기적 해결책으로 스티칭을 제시했다. 대형 칩 회로를 두 부분으로 나눠 기존 6인치 마스크로 두 차례 노광한 뒤 웨이퍼에서 이어 붙이는 방식이지만, 같은 층의 회로에 마스크 두 장이 필요해 제작 비용이 두 배로 늘고 접합부 정렬 오차와 수율 문제가 생길 수 있다.
인텔은 고객이 플로어플랜을 조정해 핵심 패턴을 6인치 마스크에 해당하는 반쪽 시야 안에 제한할 수 있다고 밝혔다. 또 인텔의 스티칭 역량과 PDK 솔루션을 활용해 대형 칩 설계를 완성할 수 있다고 했으며, ASML은 올해 7월 인텔이 High-NA EUV로 Intel 18A 일부 층의 양산에 들어가 일부 Panther Lake 제품에 적용한다고 확인했다.
인텔과 ASML은 9월 High-NA 플랫폼이 초기 인증과 연구개발부터 일부 양산 층까지 누적 100만 장을 넘는 웨이퍼를 처리했다고 발표했다. 투자계는 스티칭이 기술적으로 가능하지만 노광 횟수 증가로 시간당 웨이퍼 생산량이 줄고, 대당 가격이 4억달러(약 5,440억원, 10월 2일 매매기준율 기준)에 이르는 High-NA EUV 장비의 웨이퍼당 배분 비용이 높아질 수 있다고 전했다.
ASML과 TSMC는 6×12인치 마스크의 목표를 팹 생산 효율 향상, 제조 비용 절감, 스티칭 제약 제거로 제시했다. 인텔도 대형 마스크의 중요한 가치로 대형 다이 설계에서 스티칭 위치에 대한 제약을 없애는 점을 꼽았다고 투자계는 전했다.
대형 마스크는 마스크 기판과 기록·검사 장비, 운송·보관 설비의 변경도 요구한다. SEMI는 2024년 SEMICON West에서 6×12인치 레티클 캐리어와 로드 포트 태스크포스(6×12 Reticle Carrier & Load Port Task Force)를 출범시켰고, 마스크숍용 RSP612와 팹용 EUV612 등 새로운 포드 표준을 논의했다.
SEMI 회의록에 따르면 업계는 ASML에 6×12인치 마스크 블랭크 크기와 가장자리 금지 구역, 펠리클 프레임 사양을 더 명확히 해달라고 요구했다. 당시 ASML은 새 펠리클 프레임 설계를 아직 완전히 확정하지 않았으며, 관련 사양은 추가로 명확해져야 하는 상태였다.
HOYA는 2026년 종합보고서에서 EUV 마스크 블랭크의 중기 시장 성장률이 10%를 넘어설 것으로 전망했다. 또 싱가포르 기존 공장 옆에 새 공장을 건설해 2028 회계연도에 생산을 시작할 계획이며, 초기 투자액은 420억엔(약 3,610억원, 10월 2일 매매기준율 기준)이라고 밝혔다.