삼성전자가 HBM4e 메모리를 12-Hi 적층, 단일 칩 최대 48GB 사양으로 양산 중이며 엔비디아 등 주요 고객 인증을 통과했다는 소식이 나왔다. 중국 매체 ai.zol.com.cn은 10월 7일(현지시간) 삼성전자가 HBM4e의 고객사 공식 제품 자격 인증을 통과한 것으로 알려졌다고 전했다.
보도에 따르면 삼성전자는 HBM2와 HBM3 개발 단계에서 주요 경쟁사에 뒤처졌지만 HBM4 기술 주기에서 돌파구를 마련했다. HBM4 메모리 양산 납품을 가장 먼저 실현했고, 업그레이드 버전인 HBM4e에서도 진전을 이뤘다는 내용이다.
현재 양산 중인 HBM4e는 12-Hi 적층과 단일 칩 최대 48GB 사양을 채택했다. 앞서 계획한 16-Hi 방안의 이론상 용량은 64GB였으며, 사양 조정은 수율 관리와 제조 비용을 함께 고려한 결과라고 매체는 전했다.
고대역폭 메모리를 쓰는 고급 GPU의 전력 소비와 발열 제약이 엄격해지면서 16-Hi 방안은 양산 가능성과 최종 제품 적용성에서 도전에 직면했다고 보도됐다. 차세대 플래그십 그래픽카드에서는 적층 수를 늘리는 방식보다 전체 시스템의 균형이 우선된다는 설명도 담겼다.
HBM4e 메모리 칩은 삼성전자의 6세대 10나노미터 1c 공정을 기반으로 제작되며 하단 로직 칩에는 4나노미터 공정이 적용된다. 인터페이스 속도는 16Gbps로 높아졌고, 전 세대 HBM4보다 전체 성능은 20% 이상, 에너지 효율은 16% 이상 향상됐다고 매체는 전했다.
기존 계획에 따르면 HBM4e는 내년에 출시되는 루빈 울트라(Rubin Ultra) 시리즈 그래픽카드에 탑재될 예정이다. 이 플랫폼은 당초 총 1TB 용량의 HBM4e 메모리를 탑재할 계획이었지만, 루빈(Rubin) 아키텍처의 전체 사양이 계속 조정되면서 관련 구성은 바뀔 여지가 있고 최종 적용 버전은 추가 확인이 필요하다.
앞서 러시아 IT 매체 IXBT.com(ixbt.com)은 9월 21일(현지시간) 삼성전자가 내년 HBM4 생산을 크게 늘릴 계획이라고 보도했다. 중국어 번체 매체 상전매(蕃新聞)는 10월 2일(현지시간) 삼성전자가 메모리 제품으로 글로벌 고객 기반을 확대하고 있다고 전했다.