중국어 매체 월스트리트CN(wallstreetcn.com)은 9월 29일(UTC) ‘삼성: 내년 HBM이 DRAM 생산능력의 30%에 육박, 기존 메모리 공급 더욱 빠듯해질 수 있어’(三星：明年HBM将占DRAM产能近30%，传统内存供应或进一步收紧)라는 제목의 기사에서 삼성전자가 내년 HBM 생산능력 비중이 약 20%에서 30%에 육박할 것으로 예상했다고 보도했다. HBM은 고대역폭 메모리로, 삼성전자는 HBM 확대가 기존 DRAM 공급을 계속 압박할 것으로 전망했다.
삼성전자에 따르면 HBM은 내년 전 세계 DRAM 웨이퍼 생산능력의 30%에 육박하는 비중을 차지할 전망이다. 현재 비중은 약 20% 수준이다.
로이터(Reuters)는 삼성전자 집행부사장 김태우(Kim Taewoo)가 HBM과 기존 DRAM이 같은 웨이퍼 생산능력을 공유한다고 말했다고 전했다. 김태우는 HBM의 지속적인 확장이 기존 DRAM의 공급 여력을 더욱 줄일 것이라고 지적했다.
월스트리트CN에 따르면 삼성전자의 HBM 월평균 웨이퍼 투입량은 올해 약 18만 장에서 2027년 약 25만 장으로 늘어 증가율이 40%에 육박할 전망이다. HBM4 시리즈는 내년 삼성전자 HBM 출하량의 약 80%를 차지할 것으로 예상됐다.
HBM4 시리즈의 비중은 올해 약 40%에서 내년 약 80%로 높아질 전망이다. HBM4E 양산 규모가 점차 확대되면서 더 높은 단가의 제품이 출하 구성에서 차지하는 비중도 커질 것으로 예상됐다.
시장조사업체 트렌드포스(TrendForce)는 인공지능 서버 수요 증가와 HBM·기존 DRAM의 첨단 공정 및 웨이퍼 생산능력 경쟁으로 2027년 메모리 공급이 빠듯한 상태를 유지할 것으로 전망했다. 차세대 제품의 수율 개선과 생산량 확대에 시간이 필요한 점도 공급 제약 요인으로 제시됐다.
트렌드포스는 2027년 HBM 혼합 평균판매가격 전망치를 상향 조정하고 전년 대비 상승률을 121%로 예상했다. 공급 제약의 지속성, HBM4 등 고가 제품 비중 확대, 2027년 하반기 HBM4E의 점진적인 양산이 가격 전망 상향의 핵심 요인이라고 밝혔다.
집미망(集微网·ijiwei) 자료에 따르면 HBM이 소모하는 웨이퍼 면적은 기존 DRAM의 약 3배다. HBM 단일 칩이 차지하는 웨이퍼 면적은 DDR5 3GB 생산에 필요한 면적과 대략 맞먹는다.
이에 따라 HBM 비중이 DRAM 생산능력에서 20%에서 30%로 높아지면 기존 DRAM 공급이 받는 압박은 해당 비중 변화의 2~3배에 이를 수 있다고 월스트리트CN은 전했다. 소비자 전자제품과 PC, 서버 등 기존 DRAM 의존 시장의 공급 축소 압력도 표면적인 수치보다 클 수 있다고 보도했다.
트렌드포스는 주요 메모리 업체들이 2027년 HBM 가격 협상에서 전반적으로 더 강경한 입장을 취하고 있다고 분석했다. 이는 시장이 공급 부족 국면을 예상하고 있음을 뒷받침한다고 전했다.
■ 맥락과 영향
월스트리트CN에 따르면 삼성전자는 내년 HBM 생산능력 비중이 30%에 육박할 것으로 예상했다. 월스트리트CN에 따르면 HBM 비중 확대는 기존 DRAM 공급을 표면적 수치보다 더 압박할 수 있다.
■ 숫자로 본 영향
월스트리트CN에 따르면 HBM 생산능력 비중은 현재 약 20%에서 내년 30%에 육박할 전망이다. 월스트리트CN에 따르면 HBM 월평균 웨이퍼 투입량은 올해 약 18만 장에서 2027년 약 25만 장으로 늘어 증가율이 40%에 육박할 전망이다.
월스트리트CN에 따르면 HBM4 시리즈는 내년 삼성전자 HBM 출하량의 약 80%를 차지할 전망이다. HBM4 시리즈 비중은 올해 약 40%에서 내년 약 80%로 높아질 전망이다.
트렌드포스에 따르면 2027년 HBM 혼합 평균판매가격 상승률은 전년 대비 121%로 예상됐다. 집미망 자료에 따르면 HBM이 소모하는 웨이퍼 면적은 기존 DRAM의 약 3배다.
■ 누구에게 이익·부담인가
월스트리트CN에 따르면 소비자 전자제품과 PC, 서버 등 기존 DRAM 의존 시장은 공급 축소 압력을 받을 수 있다. 트렌드포스에 따르면 주요 메모리 업체들은 2027년 HBM 가격 협상에서 전반적으로 더 강경한 입장을 취하고 있다.